簡(jiǎn)要描述:LDJD-B型介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測(cè)試儀以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,頻率范圍達(dá)10kHZ-110MHZ,信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),更保證了測(cè)量精度的精確性。
產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,建材 |
Φ
LDJD-B 介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測(cè)試儀
一、LDJD-B 介質(zhì)損耗因數(shù)和正切角測(cè)試儀 適用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 1693-2007 《硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法》
LDJD-B型介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀適用于10kHZ-110MHZ下固體電氣絕緣材料的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)(需要測(cè)液體介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)請(qǐng)與我司聯(lián)系)
二、主要參數(shù)
1.信號(hào)源頻率覆蓋范圍10kHz~110MHz
2.環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
3.消耗功率:約25W;電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
4.主電容調(diào)節(jié)范圍:30~540pF
5.電容直接測(cè)量范圍:1pF~2.5uF
6.Q值測(cè)量范圍:1~1023,Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;
7.S916(數(shù)顯)介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置:
數(shù)顯式微桿
平板電容器:
極片尺寸: Φ50mm/Φ38mm可選
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
夾具插頭間距:25mm±0.01mm
夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
測(cè)微桿分辨率:0.001mm
測(cè)試極片:材料測(cè)量直徑Φ50mm/Φ38mm可選 厚度可調(diào) ≥ 15mm
*液體杯:測(cè)量極片直徑 Φ38mm; 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm(測(cè)量液體介電常數(shù)請(qǐng)與我司聯(lián)系)
8. 主機(jī)尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280
三、術(shù)語和定義
1.介質(zhì)損耗角δ dielectric loss angle
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
2.介質(zhì)損耗因數(shù) tanδ dielectric dissipation factor
損耗角δ的正切。
3.〔介質(zhì)〕損耗指數(shù) εr [dielectric] loss index
該材料的損耗因數(shù)tanδ與相對(duì)電容率εr的乘積。
四、影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。
1 頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的εr和tanδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
2 溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)大值位置。
3 濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的。
注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4 電場(chǎng)強(qiáng)度
存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān)。
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